晶片在生產(chǎn)過(guò)程中，原本大氣中O2會(huì)和Si產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)得O2+Si=SiO2（二氧化矽）為原始的氧化層，如果管路的氧含量過(guò)高，原始的氧化層會(huì)超出原本已計(jì)算好的厚度，如此會(huì)嚴(yán)重影響接下來(lái)各階段的制程。